전력 관리에서 모터 구동에 이르기까지 MOSFET 제품 라인은 다양한 응용 시나리오에 효율적인 스위치 솔루션을 제공합니다.저전도 저항(RDS(on)) 설계로 전력 소비량을 절감하고 첨단 패키징 기술로 뛰어난 발열 성능을 제공하며 휴대용 장비, 산업 제어 등의 가혹한 요구를 충족합니다.
IMWTEK UK1R1N06LFH와 인피니티 BSC060N10NS는 에너지 저장 BMS 단락 보호 장면에서 대결한다.테스트에 따르면 IMWTEK의 MOSFET는 단거리 내구 시간 (12ms vs. 8ms), 끄기 성능 (1.5 μs 지연/80V 피크) 및 고온 안정성 (결온 210 ° C 비실효) 에서 모두 인피니티 시나리오보다 우수하며 비용은 15% 절감됩니다.그 LFPAK 패키지는 양면 방열과 최적화 구동 회로를 통해 UL 1741 인증을 만족시켰으며, 이미 닝더 시대, 테슬라 메가팩 등 고압 에너지 저장 시스템에 응용되었다.
전기 자동차 차량용 충전기 (OBC) 는 고효율로 교류 전기를 고압 직류 전기로 전환해야 하며, LLC 공명 토폴로지의 동기 정류 MOSFET는 고주파화, 다중 칩 균일 흐름 및 차량 규정 신뢰성 등의 도전에 직면해 있다.TOLL 패키지는 낮은 기생 전기 감각으로 이상적입니다.비교 테스트에 따르면 IMWTEK의 UP006N08CT는 효율 (피크 96.8%), 균일 흐름 성능 (전류 불균형도 <4%) 및 EMC 표현에서 인피니티 시나리오보다 우수하며 비용은 더 낮습니다.그 TOLL 패키징 설계는 방열과 구동 회로를 최적화하여 800V 플랫폼의 고출력 밀도 수요에 적합하며, 이미 헤드 자동차 기업의 공급 사슬에 진입했다.
IMWTEK UD009N06GH와 인피니티 IAUC50N04S7N014 MOSFET는 산업용 로봇 관절 구동 장면에서 성능 대결을 벌인다.두 DFN 5×6mm 패키징 부품 모두 고진동(20G), 고온(85°C) 및 장수명(10000시간) 수요에 맞게 설계됐다.실측에 따르면 IMWTEK는 50V 전압, 3.5m 오메가 전도 저항 및 42 ° C/W 열 저항 매개변수에서 우세하며, 그 구리 클립 구조는 연속 운행 결온을 78 ° C (인피니티 89 ° C) 로 낮게 하고 효율은 95.2% 에 달한다.진동 방지 테스트에서 IMWTEK 용접점의 절단력은 균열 없이 4.8kgf를 유지했으며 인피니티 샘플은 12% 저항 표류를 보였다.수명 테스트 후 IMWTEK의 고장률은 현저하게 낮고, 결합 원가를 9% 낮추고 연간 유지비를 18만 달러 절약하여 이미 파나코와 같은 제조업체에서 채용하였다.
IMWTEK US022N10ST 및 인피니티 CoolMOS™ C7은 태양광 MPPT 컨트롤러의 고온 장면에서 대결한다.US022N10ST는 양면 방열 STOLL 패키지로 인피니티 TO-247-4 단면 방열에 비해 RDS (on) 가 8m (80m 대비 90%), 눈사태 에너지 350mJ (25% 향상), 열저항 15 ° C/W (결온이 인피니티 대비 14 ° 낮음) 로 낮다.실측 결과: 85 ° C 환경에서 MPPT 효율은 99.1% (인피니티 97.5%) 에 달하며, 연속 눈사태 충격 후 매개변수 드리프트는 <2% (경품 5%) 이며, 1000 시간 노화 후 눈사태 에너지는 320mJ 를 유지한다.양면 방열 설계는 구리 기판 공정과 결합하여 15년 MTTF를 실현하고 BOM 원가를 18% 낮추어 이미 화웨이 등 가정용 에너지 저장 시스템에 응용되었다.
IMWTEK UD1206QM과 도시바 SSM6K513 MOSFET는 무인기 전조 고동적 장면에서 성능 대결을 벌인다.UD1206QM은 QFN 3 × 3mm 패키지로 도시바 WSON 시나리오에 비해 RDS (on) 를 1.2m, Qg 를 18%, 펄스 전류 를 300A (20% 향상) 로 낮췄다.실측 결과: UD1206QM의 순간적 응답 시간은 1.2μs로 단축되었고, 결온은 도시바보다 14 ° C 낮았으며, 진동 후 용접점은 효력을 잃지 않았으며, 시스템 효율은 1.5% 향상되었다.그 하단 용접판 방열 설계는 구리 클립 바인딩 공정과 결합하여 -20 ° C/20G 진동 환경에서 더욱 강한 신뢰성을 보여주며 원가를 7% 절감하고 염무/온도 순환 검증을 통해 이미 DJI 공급망에 진입하여 경량화 고기동 무인기 선호 방안이 되었다.
IMWTEK UK1R5N08LF, 48V-12V DC-DC 변환에서 인피니티 Optimos 비교™ 5 BSC080N10NS 성능이 향상되었습니다.그 LFPAK 패키지는 0.85m도통 저항, 45nC 그리드 전하 및 1.2 ° C/W 초저열 저항을 통해 13% 도통 손실 최적화와 15% 구동 효율 향상을 실현한다.실측 750kHz 고주파에서 피크 효율은 98.4% (경쟁품보다 0.6% 높음) 에 달하고 결온은 13 °C (92 °C) 낮으며 4 회로 병렬 전류 편차는 <3% 이다.역방향 복구 손실은 28% 감소하고 2000 시간의 고온 노화 테스트를 통과했습니다 (파라메트릭 드리프트 <1.5%).10% 의 비용 우위와 티타늄 골드급 에너지 효율로 AI 서버 10kW + 고밀도 전원 수요에 적합하며 연간 10만 대 규모로 20만 달러를 절감할 수 있다.
IMWTEK UP005N04CT MOSFET는 차량용 매트릭스 LED 구동에서 도시바 TPH4R50AQ에 비해 뚜렷한 우위를 보이고 있다.그 TOLL 패키지는 하단의 동층 방열 설계와 결합하여 열 저항을 38 ° C/W (도시바에 비해 16% 낮음) 로 낮추고 125 ° C 환경에서 결온이 142 ° C에 불과하여 조명 기구의 수명을 연장한다.매개변수는 4.5m 오메가 도통 저항과 22nC 그리드 전하가 13.5% 도통 손실 최적화 및 12% 구동 효율 향상, 동적 응답 지연 35ns를 실현하여 kHz급 정밀 조광을 지원한다.차량 규격 테스트를 거쳐 1000시간 고습한 환경 후 매개변수가 <3% (도시바 7%) 표류하고 AEC-Q101 인증을 통과했다.종합원가를 8% 낮추고 년간 50만대를 양산하면 5만딸라를 절약할수 있으며 지능전조등 고화소화추세에 적합하다.
IMWTEK UP009N10LT MOSFET는 혁신적인 TOLT 패키지를 사용하여 전기 공구 모터 구동에서 인피니티 IPB030N10N보다 현저하게 우수합니다.상단 방열 설계로 열 저항을 35 ° C/W (경쟁품 대비 22% 낮음) 로 낮추고 2.8m 오메가 도통 저항과 65nC 그리드 전하를 결합하여 6.7% 도통 손실 최적화 및 7% 구동 전력 감소를 실현한다.실측에 따르면 이 부품은 부팅 응답이 10ms(82ms) 빠르고 만부하 케이스 온도가 10°C(68°C) 낮으며 시스템 효율이 93.5%(1.4% 향상)에 달한다.12% 의 비용 이점과 까다로운 신뢰성 테스트를 통해 업계 소형화 및 고출력 밀도 요구를 충족하는 고압 무선 공구 플랫폼에 성공적으로 적용되었습니다.
반도체핵심기술에 전념하고 전반 산업사슬의 우세를 융합하여 정공품질로 글로벌시장을 위해 봉사함으로써 고객이 기술혁신과 돌파를 실현하도록 조력해야 한다.
광동ICP비 2022030985호-2